IPA60R125C6XKSA1、SIHF30N60E-E3、SIHF30N60E-GE3对比区别

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型号 IPA60R125C6XKSA1 SIHF30N60E-E3 SIHF30N60E-GE3

描述 INFINEON  IPA60R125C6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 VMOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorN 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 中高压MOS管中高压MOS管中高压MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

额定功率 34 W - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.11 Ω 0.104 Ω 0.104 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 34 W 37 W 37 W

阈值电压 3 V 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 30A - -

上升时间 12 ns - 32 ns

输入电容(Ciss) 2127pF @100V(Vds) 2600pF @100V(Vds) 2600pF @100V(Vds)

下降时间 7 ns - 36 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 34000 mW 37 W 37 W

长度 10.65 mm 10.63 mm 10.63 mm

宽度 4.9 mm 4.83 mm 4.83 mm

高度 16.15 mm 16.12 mm 16.12 mm

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

产品生命周期 Active - -

包装方式 Tube - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃