IPD30N03S2L07ATMA1、IPD50N03S2L06ATMA1对比区别
型号 IPD30N03S2L07ATMA1 IPD50N03S2L06ATMA1
描述 DPAK N-CH 30V 30A晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0051 ohm, 10 V, 1.6 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3-11
极性 N-CH N-CH
耗散功率 136 W 136 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 30A 50A
上升时间 30 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds)
下降时间 16 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 136W (Tc) 136W (Tc)
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.0051 Ω
阈值电压 - 1.6 V
封装 TO-252-3 TO-252-3-11
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 Lead Free 无铅