IPD30N03S2L07ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 136 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1900pF @25VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPD30N03S2L07ATMA1 | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 30V 30A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPD30N03S2L07ATMA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: DPAK N-CH 30V 30A | 当前型号 | DPAK N-CH 30V 30A | 当前型号 | |
型号: IPD50N03S2L06ATMA1 品牌: 英飞凌 封装: DPAK N-CH 30V 50A | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0051 ohm, 10 V, 1.6 V | IPD30N03S2L07ATMA1和IPD50N03S2L06ATMA1的区别 |