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IPD30N03S2L07ATMA1

IPD30N03S2L07ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 30V 30A

表面贴装型 N 通道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin2+Tab TO-252


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3


IPD30N03S2L07ATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 136 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 1900pF @25VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPD30N03S2L07ATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPD30N03S2L07ATMA1 Infineon 英飞凌 DPAK N-CH 30V 30A 搜索库存
替代型号IPD30N03S2L07ATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD30N03S2L07ATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: DPAK N-CH 30V 30A

当前型号

DPAK N-CH 30V 30A

当前型号

型号: IPD50N03S2L06ATMA1

品牌: 英飞凌

封装: DPAK N-CH 30V 50A

功能相似

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0051 ohm, 10 V, 1.6 V

IPD30N03S2L07ATMA1和IPD50N03S2L06ATMA1的区别