锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRF7463TR、IRF7463TRPBF、IRF7463对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7463TR IRF7463TRPBF IRF7463

描述 SOIC N-CH 30V 14A晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 2 VSOIC N-CH 30V 14A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

引脚数 - 8 8

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5W (Ta)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 14A 14A 14.0 A

输入电容(Ciss) 3150pF @15V(Vds) 3150pF @15V(Vds) 3150pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 14.0 A

产品系列 - - IRF7463

漏源击穿电压 - 30 V 30.0 V

上升时间 - 138 ns 16.0 ns

额定功率 - 2.5 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 10.5 mΩ -

阈值电压 - 2 V -

输入电容 - 3150 pF -

下降时间 - 6.5 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead