额定电压DC 30.0 V
额定电流 14.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta
产品系列 IRF7463
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 16.0 ns
输入电容Ciss 3150pF @15VVds
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7463 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOIC N-Channel 30V 14A | 当前型号 | SOIC N-CH 30V 14A | 当前型号 | |
型号: IRF7463TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 14A | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 2 V | IRF7463和IRF7463TRPBF的区别 | |
型号: IRF7463PBF 品牌: 英飞凌 封装: SOIC N-Channel 30V 14A | 功能相似 | INFINEON IRF7463PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 2 V | IRF7463和IRF7463PBF的区别 | |
型号: IRF7463TR 品牌: 英飞凌 封装: SOIC N-CH 30V 14A | 功能相似 | SOIC N-CH 30V 14A | IRF7463和IRF7463TR的区别 |