FDC658AP、NTUD3170NZT5G、SI3457DV对比区别

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型号 FDC658AP NTUD3170NZT5G SI3457DV

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC658AP  晶体管, MOSFET, P沟道, 4 A, -30 V, 0.044 ohm, -10 V, -1.8 VON SEMICONDUCTOR  NTUD3170NZT5G.  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V, SOT-963单P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 SOT-963-6 TSOT-23-6

针脚数 6 6 -

漏源极电阻 0.044 Ω 0.75 Ω 0.05 Ω

极性 P-Channel N-Channel, Dual N-Channel P-Channel

耗散功率 1.6 W 125 mW 1.6 W

阈值电压 1.8 V 1 V -

输入电容 - 12.5 pF -

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 mA 280 mA 4.00 A

上升时间 12 ns 25.5 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 470pF @15V(Vds) 12.5pF @15V(Vds) 470pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 800 mW 125 mW 800 mW

下降时间 6 ns 80 ns 6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.6 W 0.2 W 1.6W (Ta)

额定功率 1.6 W - -

栅源击穿电压 ±25.0 V - ±25.0 V

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -4.00 A

长度 3 mm 1.05 mm -

宽度 1.7 mm 0.85 mm -

高度 1 mm 0.4 mm -

封装 TSOT-23-6 SOT-963-6 TSOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

香港进出口证 - NLR -

ECCN代码 EAR99 - EAR99