70T3519S133BF、IDT70T651S10DR、70T651S12DRI对比区别

高亮显示差异参数

型号 70T3519S133BF IDT70T651S10DR 70T651S12DRI

描述 静态随机存取存储器 256Kx36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAMHIGH -SPEED 2.5V 256 / 128K ×36异步双口静态RAM为3.3V 0R 2.5V接口 HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE静态随机存取存储器 256K X 36 ASYNC DP RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 CABGA-208 QFP-208 PQFP-208

引脚数 208 - 208

封装 CABGA-208 QFP-208 PQFP-208

长度 15 mm - 28 mm

宽度 15 mm - 28 mm

高度 1.4 mm - 3.5 mm

厚度 1.40 mm - 3.50 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk Tray Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 -

存取时间 4.2 ns - 12 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 2.6V - 2.4V ~ 2.6V

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)