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70T651S12DRI

70T651S12DRI

数据手册.pdf
Integrated Device Technology 艾迪悌 电子元器件分类
70T651S12DRI中文资料参数规格
技术参数

存取时间 12 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 2.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 208

封装 PQFP-208

外形尺寸

长度 28 mm

宽度 28 mm

高度 3.5 mm

封装 PQFP-208

厚度 3.50 mm

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

70T651S12DRI引脚图与封装图
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在线购买70T651S12DRI
型号 制造商 描述 购买
70T651S12DRI Integrated Device Technology 艾迪悌 静态随机存取存储器 256K X 36 ASYNC DP RAM 搜索库存
替代型号70T651S12DRI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 70T651S12DRI

品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌

封装: PQFP 208Pin

当前型号

静态随机存取存储器 256K X 36 ASYNC DP RAM

当前型号

型号: 70T3519S133BFI

品牌: 艾迪悌

封装: CABGA 208Pin

完全替代

SRAM Chip Sync Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 15ns/4.2ns 208Pin CABGA

70T651S12DRI和70T3519S133BFI的区别

型号: 70T651S12BFGI

品牌: 艾迪悌

封装: CABGA 208Pin

完全替代

静态随机存取存储器 256K X 36 ASYNC DP RAM

70T651S12DRI和70T651S12BFGI的区别

型号: 70T3519S133DRI

品牌: 艾迪悌

封装: PQFP 208Pin

完全替代

IC SRAM 9Mbit 133MHz 208QFP

70T651S12DRI和70T3519S133DRI的区别