
存取时间 12 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.4V ~ 2.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 208
封装 PQFP-208
长度 28 mm
宽度 28 mm
高度 3.5 mm
封装 PQFP-208
厚度 3.50 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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70T651S12DRI | Integrated Device Technology 艾迪悌 | 静态随机存取存储器 256K X 36 ASYNC DP RAM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 70T651S12DRI 品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌 封装: PQFP 208Pin | 当前型号 | 静态随机存取存储器 256K X 36 ASYNC DP RAM | 当前型号 | |
型号: 70T3519S133BFI 品牌: 艾迪悌 封装: CABGA 208Pin | 完全替代 | SRAM Chip Sync Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 15ns/4.2ns 208Pin CABGA | 70T651S12DRI和70T3519S133BFI的区别 | |
型号: 70T651S12BFGI 品牌: 艾迪悌 封装: CABGA 208Pin | 完全替代 | 静态随机存取存储器 256K X 36 ASYNC DP RAM | 70T651S12DRI和70T651S12BFGI的区别 | |
型号: 70T3519S133DRI 品牌: 艾迪悌 封装: PQFP 208Pin | 完全替代 | IC SRAM 9Mbit 133MHz 208QFP | 70T651S12DRI和70T3519S133DRI的区别 |