MJD3055G、MJD3055T4、MJD3055T4G对比区别
型号 MJD3055G MJD3055T4 MJD3055T4G
描述 NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管STMICROELECTRONICS MJD3055T4 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 20 W, 10 A, 5 hFEON SEMICONDUCTOR MJD3055T4G 双极性晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 4
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
频率 2 MHz 2 MHz 2 MHz
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 10.0 A 10.0 A 10.0 A
针脚数 - 3 4
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 1.75 W 20 W 1.75 W
增益频宽积 - 2 MHz -
集电极击穿电压 - 70.0 V -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V
最大电流放大倍数(hFE) - 100 -
额定功率(Max) 1.75 W 20 W 1.75 W
直流电流增益(hFE) 10 5 5
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 20 W 20000 mW 1750 mW
集电极最大允许电流 10A - 10A
热阻 6.25℃/W (RθJC) - -
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.38 mm 2.4 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99