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FJV4101R、R2001对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJV4101R R2001

描述 PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon TransistorSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

封装 SOT-23 -

极性 PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V -

集电极最大允许电流 100mA -

封装 SOT-23 -

产品生命周期 Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant