FJV4101R
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
电子元器件分类
FJV4101R中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
FJV4101R引脚图与封装图
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在线购买FJV4101R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJV4101R | Fairchild 飞兆/仙童 | PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor | 搜索库存 |
替代型号FJV4101R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJV4101R 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： | 当前型号 | PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor | 当前型号 |
| 型号： R2001 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A IC, 50V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, | FJV4101R和R2001的区别 |
