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PTFA080551E、PTFA080551F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PTFA080551E PTFA080551F

描述 热增强型高功率射频LDMOS FET的55 W, 869 - 960兆赫 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 55 W, 869 – 960 MHz热增强型高功率射频LDMOS FET的55 W, 869 - 960兆赫 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 55 W, 869 – 960 MHz

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类

基础参数对比

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free