PTFA080551E
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
PTFA080551E中文资料参数规格
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PTFA080551E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PTFA080551E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PTFA080551E | Infineon 英飞凌 | 热增强型高功率射频LDMOS FET的55 W， 869 - 960兆赫 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 55 W, 869 – 960 MHz | 搜索库存 |
替代型号PTFA080551E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PTFA080551E 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | 热增强型高功率射频LDMOS FET的55 W， 869 - 960兆赫 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 55 W, 869 – 960 MHz | 当前型号 |
| 型号： PTFA080551F 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | 热增强型高功率射频LDMOS FET的55 W， 869 - 960兆赫 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 55 W, 869 – 960 MHz | PTFA080551E和PTFA080551F的区别 |
