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PSMN008-75B、PSMN008-75B,118、934056399118对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PSMN008-75B PSMN008-75B,118 934056399118

描述 Power Field-Effect TransistorD2PAK N-CH 75V 75ATRANSISTOR 75 A, 75 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, D2PAK-3, FET General Purpose Power

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 SOT-404 TO-263-3 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-404 TO-263-3 -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

极性 - N-CH -

耗散功率 - 230 W -

漏源极电压(Vds) - 75 V -

连续漏极电流(Ids) - 75A -

上升时间 - 55 ns -

输入电容(Ciss) - 5260pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 230 W -

下降时间 - 80 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 230W (Tc) -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -