极性 N-CH
耗散功率 230 W
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 75A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 5260pF @25VVds
额定功率Max 230 W
下降时间 80 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN008-75B,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 75V 75A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PSMN008-75B,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT404 N-CH 75V 75A | 当前型号 | D2PAK N-CH 75V 75A | 当前型号 | |
型号: FDB031N08 品牌: 飞兆/仙童 封装: D2PAK N-CH 75V 235A | 功能相似 | FDB031N08 系列 75 V 3.1 mOhm N沟道 PowerTrench® MOSFET - D2PAK-3 | PSMN008-75B,118和FDB031N08的区别 | |
型号: PSMN008-75B 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor | PSMN008-75B,118和PSMN008-75B的区别 |