RW1A020ZPT2R、RZF020P01TL对比区别
描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -12 V, 0.075 ohm, -4.5 V, -1 VP 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 3
封装 SOT-563 TUMT-3
针脚数 6 3
漏源极电阻 0.075 Ω 0.075 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 700 mW 800 mW
漏源极电压(Vds) 12 V 12 V
连续漏极电流(Ids) 2A 2A
上升时间 17 ns 17 ns
输入电容(Ciss) 770pF @6V(Vds) 770pF @6V(Vds)
额定功率(Max) 700 mW 800 mW
下降时间 35 ns 35 ns
耗散功率(Max) 700mW (Ta) 800 mW
阈值电压 - 1 V
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 SOT-563 TUMT-3
长度 - 2 mm
宽度 - 1.7 mm
高度 - 0.77 mm
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free