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RW1A020ZPT2R、RZF020P01TL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RW1A020ZPT2R RZF020P01TL

描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -12 V, 0.075 ohm, -4.5 V, -1 VP 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 3

封装 SOT-563 TUMT-3

针脚数 6 3

漏源极电阻 0.075 Ω 0.075 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 700 mW 800 mW

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V

连续漏极电流(Ids) 2A 2A

上升时间 17 ns 17 ns

输入电容(Ciss) 770pF @6V(Vds) 770pF @6V(Vds)

额定功率(Max) 700 mW 800 mW

下降时间 35 ns 35 ns

耗散功率(Max) 700mW (Ta) 800 mW

阈值电压 - 1 V

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 SOT-563 TUMT-3

长度 - 2 mm

宽度 - 1.7 mm

高度 - 0.77 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free