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MUN5333DW1T1、MUN5333DW1T1G、PUMD13对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5333DW1T1 MUN5333DW1T1G PUMD13

描述 MUN5333DW1T1 NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -100mA/100mA 200 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记334 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路MUN 系列 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN/PNP 双 偏置电阻 晶体管 - SOT-363NXP  PUMD13  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-363 SC-88-6 SOT-363

针脚数 - - 6

极性 NPN+PNP NPN, PNP NPN, PNP

耗散功率 385 mW 0.385 W 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 100

直流电流增益(hFE) - - 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

最大电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 10V -

额定功率(Max) 250 mW 250 mW -

耗散功率(Max) 385 mW 385 mW -

封装 SOT-363 SC-88-6 SOT-363

长度 - 2 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 0.9 mm 0.9 mm -

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -