BC637、BC637G、BC637RL1G对比区别

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型号 BC637 BC637G BC637RL1G

描述 NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR高电流晶体管 High Current Transistors高电流晶体管 High Current Transistors

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 100 MHz 200 MHz 200 MHz

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1 W 0.625 W 625 mW

增益频宽积 100 MHz - 200 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1 W 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1 W 625 mW 625 mW

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 1.00 A 1.00 A -

最大电流放大倍数(hFE) 160 - -

直流电流增益(hFE) 40 - -

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99