BC637
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BC637中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 1 W
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 160
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC637引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BC637
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC637 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 60V 1A 1W | 当前型号 | NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： BC637_D27Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 60V 1A | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 60V 1A 3Pin TO-92 T/R | BC637和BC637_D27Z的区别 |
| 型号： BC637G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 60V 1A 625mW | 功能相似 | 高电流晶体管 High Current Transistors | BC637和BC637G的区别 |
| 型号： BC637RL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 625mW | 功能相似 | 高电流晶体管 High Current Transistors | BC637和BC637RL1G的区别 |