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CLC5523IMX、CLC5523IN、LMH6504MAX/NOPB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CLC5523IMX CLC5523IN LMH6504MAX/NOPB

描述 低功耗,可变增益放大器 Low-Power, Variable Gain Amplifier低功耗,可变增益放大器 Low-Power, Variable Gain AmplifierWideband, Low Power, Variable Gain Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃

数据手册 ---

制造商 National Semiconductor (美国国家半导体) National Semiconductor (美国国家半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC DIP-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 12.0V (max)

供电电流 - - 11 mA

电路数 1 1 1

通道数 - - 1

转换速率 1.80 kV/μs - 1.50 kV/μs

增益频宽积 - - 150 MHz

输入补偿电压 - - 10 mV

输入偏置电流 - - 900 nA

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - 40 ℃

3dB带宽 - - 150 MHz

增益带宽 - - 150 MHz

电源电压(Max) - - 10V ~ 15V

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.45 mm

封装 SOIC DIP-8 SOIC-8

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free