STF10NM60N、STF5N52U、TK13A60D(Q,M)对比区别

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型号 STF10NM60N STF5N52U TK13A60D(Q,M)

描述 STMICROELECTRONICS  STF10NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 VN沟道525 V， 1.28欧姆， 4.4 A， DPAK ， TO- 220FP ， I2PAK UltraFASTmesh功率MOSFET N-channel 525 V, 1.28 ohm, 4.4 A, DPAK, TO-220FP, I2PAK UltraFASTmesh Power MOSFETTO-220SIS N-CH 600V 13A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.53 Ω 1.5 Ω -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 25 W 25 W 50 W

阈值电压 3 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 525 V 600 V

上升时间 12 ns 13.6 ns -

输入电容(Ciss) 540pF @50V(Vds) 529pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 25 W 25 W -

下降时间 15 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 25W (Tc) 25W (Tc) -

连续漏极电流(Ids) - 4.4A 13A

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 525 V -

长度 10.4 mm - -

宽度 4.6 mm - -

高度 16.4 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs -

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -