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STF10NM60N

STF10NM60N

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STMICROELECTRONICS  STF10NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF10NM60N, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP


立创商城:
N沟道 600V 10A


贸泽:
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STF10NM60N  MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
600V,0.53Ω,10A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP


STF10NM60N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.53 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 540pF @50VVds

额定功率Max 25 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STF10NM60N引脚图与封装图
STF10NM60N引脚图

STF10NM60N引脚图

STF10NM60N封装焊盘图

STF10NM60N封装焊盘图

在线购买STF10NM60N
型号 制造商 描述 购买
STF10NM60N ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STF10NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号STF10NM60N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STF10NM60N

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-220-3 N-Channel

当前型号

STMICROELECTRONICS  STF10NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： STF11NM50N

品牌： 意法半导体

封装： TO-220FP N-Channel 500V 8.5A

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STF10NM60N和STF11NM50N的区别

型号： STF19NM50N

品牌： 意法半导体

封装： TO-220FP N-Channel

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