2N6036、BD678、2N6036G对比区别

高亮显示差异参数

型号 2N6036 BD678 2N6036G

描述 STMICROELECTRONICS  2N6036  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 40 W, 4 A, 750 hFESTMICROELECTRONICS  BD678  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE塑料达林顿互补硅功率晶体管 Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

额定电压(DC) -80.0 V -60.0 V -80.0 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A -4.00 A

针脚数 3 3 3

极性 NPN P-Channel PNP

耗散功率 40 W 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 60 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @2A, 3V 750 @1.5A, 3V 750 @2A, 3V

额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W

直流电流增益(hFE) 750 750 15

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 40000 mW 40000 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

集电极最大允许电流 - - 4A

最大电流放大倍数(hFE) - - 15000

宽度 2.7 mm - 2.66 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

长度 - - 7.74 mm

高度 - - 11.04 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99