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IXDD614PI、IXDI614PI、UCC37322P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDD614PI IXDI614PI UCC37322P

描述 低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A门驱动器 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFETTEXAS INSTRUMENTS  UCC37322P  芯片, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 9A输出, 35ns延迟, DIP-8

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

电源电压(DC) - - 15.0V (max)

上升/下降时间 25ns, 18ns 25ns, 18ns 20 ns

输出接口数 1 1 1

输出电压 - - 150 mV

输出电流 - - 9 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

耗散功率 - - 0.35 W

上升时间 35 ns - 70 ns

下降时间 25 ns - 30 ns

下降时间(Max) 25 ns - 30 ns

上升时间(Max) 35 ns - 70 ns

工作温度(Max) 125 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃

耗散功率(Max) - - 350 mW

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4V ~ 15V

电源电压(Max) 35 V - 15 V

电源电压(Min) 4.5 V - 4 V

输出电流(Max) 14 A - -

长度 - - 9.81 mm

宽度 - - 6.35 mm

高度 - - 4.57 mm

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99