IRF630NSTRLPBF、IRF630NSTRR、IRF630NS对比区别

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型号 IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRR IRF630NS

描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 200V 9.3AD2PAK N-CH 200V 9.3A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 82 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.3 Ω - 300 mΩ (max)

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 82 W 82W (Tc) 82W (Tc)

阈值电压 4 V - -

输入电容 575 pF - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 9.3A 9.3A 9.30 A

上升时间 14 ns - 14.0 ns

输入电容(Ciss) 575pF @25V(Vds) 575pF @25V(Vds) 575pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 82 W 82 W -

下降时间 15 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 82W (Tc) 82W (Tc) 82W (Tc)

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 9.30 A

产品系列 - - IRF630NS

漏源击穿电压 - - 200V (min)

长度 10.67 mm - -

宽度 11.3 mm - -

高度 4.83 mm - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free