极性 N-CH
耗散功率 82W Tc
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 9.3A
输入电容Ciss 575pF @25VVds
额定功率Max 82 W
耗散功率Max 82W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRF630NSTRR | Infineon 英飞凌 | D2PAK N-CH 200V 9.3A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRF630NSTRR 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-263-3 N-CH 200V 9.3A | 当前型号 | D2PAK N-CH 200V 9.3A | 当前型号 | |
型号: IRF630NSTRLPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 200V 9.3A | 类似代替 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF630NSTRR和IRF630NSTRLPBF的区别 | |
型号: IRF630NSPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 200V 9.3A | 类似代替 | INFINEON IRF630NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 V | IRF630NSTRR和IRF630NSPBF的区别 | |
型号: IRF630NSTRRPBF 品牌: 英飞凌 封装: D2PAK N-CH 200V 9.3A | 类似代替 | D2PAK N-CH 200V 9.3A | IRF630NSTRR和IRF630NSTRRPBF的区别 |