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IRF630NSTRR

IRF630NSTRR

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 200V 9.3A

N-Channel 200V 9.3A Tc 82W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK


IRF630NSTRR中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 82W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 9.3A

输入电容Ciss 575pF @25VVds

额定功率Max 82 W

耗散功率Max 82W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准

IRF630NSTRR引脚图与封装图
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IRF630NSTRR Infineon 英飞凌 D2PAK N-CH 200V 9.3A 搜索库存
替代型号IRF630NSTRR
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型号: IRF630NSTRR

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-263-3 N-CH 200V 9.3A

当前型号

D2PAK N-CH 200V 9.3A

当前型号

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封装: REEL N-Channel 200V 9.3A

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品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 200V 9.3A

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品牌: 英飞凌

封装: D2PAK N-CH 200V 9.3A

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