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KSH41CTF、KSH41CTM、MJD41CTF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH41CTF KSH41CTM MJD41CTF

描述 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。Trans GP BJT NPN 100V 6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R功率 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 3 MHz - 3 MHz

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 6.00 A 6.00 A 6.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.75 W - 1.75 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 6A 6A 6A

最小电流放大倍数(hFE) 15 @3A, 4V 15 @3A, 4V 15 @3A, 4V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

直流电流增益(hFE) 30 - 30

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW - 20 W

最大电流放大倍数(hFE) - - 75

长度 6.6 mm - 6.6 mm

宽度 6.1 mm - 6.1 mm

高度 2.3 mm - 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99