频率 3 MHz
额定电压DC 100 V
额定电流 6.00 A
极性 NPN
耗散功率 1.75 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 6A
最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 4V
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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KSH41CTF | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KSH41CTF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO252 NPN 100V 6A 1750mW | 当前型号 | NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 当前型号 | |
型号: KSH41CTM 品牌: 飞兆/仙童 封装: DPAK NPN 100V 6A | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3Pin2+Tab DPAK T/R | KSH41CTF和KSH41CTM的区别 | |
型号: MJD41CTF 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252-3 NPN 100V 6A 1750mW | 类似代替 | 功率 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | KSH41CTF和MJD41CTF的区别 | |
型号: MJD31CT4G 品牌: 安森美 封装: TO-252 NPN 100V 3A 1560mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MJD31CT4G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE | KSH41CTF和MJD31CT4G的区别 |