FDN335N、RTR040N03TL、MGSF2N02ELT1对比区别

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型号 FDN335N RTR040N03TL MGSF2N02ELT1

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN335N  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mVROHM  RTR040N03TL  晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V2.8安培， 20伏， N沟道SOT- 23 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V

额定电流 1.70 A - 2.80 A

额定功率 500 mW - -

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.055 Ω 0.066 Ω 85.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 500 mW 1 W 1.25 W

阈值电压 900 mV 1.5 V -

输入电容 40.0 pF - -

栅电荷 3.50 nC - -

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20.0 V

漏源击穿电压 -60.0 V - 20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V - ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) 1.70 A 4.00 A 2.80 A

上升时间 8.5 ns 18 ns 95 ns

输入电容(Ciss) 310pF @10V(Vds) 475pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 460 mW 1 W -

下降时间 3 ns 19 ns 95 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.5 W 1W (Ta) -

长度 2.92 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.4 mm 1.60 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 0.85 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Not For New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99