W971GG8JB-25、W971GG8SB-25对比区别

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型号 W971GG8JB-25 W971GG8SB-25

描述 DDR DRAM, 16MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-60

数据手册 --

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 RAM芯片存储芯片

安装方式 - Surface Mount

引脚数 60 60

封装 TFBGA-60 TFBGA-60

供电电流 - 110 mA

时钟频率 - 200 MHz

位数 8 8

存取时间 - 400 ps

存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

封装 TFBGA-60 TFBGA-60

高度 0.8 mm -

工作温度 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99

香港进出口证 - NLR