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W971GG8SB-25

W971GG8SB-25

数据手册.pdf

DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-60

SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb 128M x 8 Parallel 200MHz 400ps 60-WBGA 8x12.5


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-Pin WBGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.8V 60-Pin WBGA


W971GG8SB-25中文资料参数规格
技术参数

供电电流 110 mA

时钟频率 200 MHz

位数 8

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

W971GG8SB-25引脚图与封装图
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在线购买W971GG8SB-25
型号 制造商 描述 购买
W971GG8SB-25 Winbond Electronics 华邦电子股份 DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-60 搜索库存
替代型号W971GG8SB-25
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: W971GG8SB-25

品牌: Winbond Electronics 华邦电子股份

封装: 60-TFBGA

当前型号

DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-60

当前型号

型号: W971GG8JB-25

品牌: 华邦电子股份

封装: 60-TFBGA

完全替代

DDR DRAM, 16MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60

W971GG8SB-25和W971GG8JB-25的区别