BSC0908NSATMA1、BSC0909NS、HAT2165H-EL-E对比区别

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型号 BSC0908NSATMA1 BSC0909NS HAT2165H-EL-E

描述 TDSON N-CH 34V 14A30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFET硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 5

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 SOT-669

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5 W 30 W

漏源极电压(Vds) 34 V 34 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 14A 12A 55A

上升时间 - 4.4 ns 65 ns

输入电容(Ciss) 1220pF @15V(Vds) 1110pF @15V(Vds) 5180pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 27 W 30 W

下降时间 - 5.4 ns 9.5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) 30W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 7.7 mΩ -

漏源击穿电压 - 34 V -

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 SOT-669

长度 - 5.9 mm -

宽度 - 5.15 mm -

高度 - 1.27 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99