极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta, 30W Tc
漏源极电压Vds 34 V
连续漏极电流Ids 14A
输入电容Ciss 1220pF @15VVds
耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 PG-TDSON-8
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSC0908NSATMA1 | Infineon 英飞凌 | TDSON N-CH 34V 14A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSC0908NSATMA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: 8-PowerTDFN N-CH 34V 14A | 当前型号 | TDSON N-CH 34V 14A | 当前型号 | |
型号: BSC080N03LSGATMA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 14A | 类似代替 | INFINEON BSC080N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V | BSC0908NSATMA1和BSC080N03LSGATMA1的区别 | |
型号: BSC0909NS 品牌: 英飞凌 封装: TDSON-8 N-Channel 34V 12A | 类似代替 | 30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFET | BSC0908NSATMA1和BSC0909NS的区别 | |
型号: BSC0909NSATMA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 34V 12A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 34 V, 0.0077 ohm, 10 V, 2 V | BSC0908NSATMA1和BSC0909NSATMA1的区别 |