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BSC0908NSATMA1

BSC0908NSATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

TDSON N-CH 34V 14A

表面贴装型 N 通道 34 V 14A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8-1


得捷:
MOSFET N-CH 34V 14A/49A TDSON


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 34V 49A 8TDSON


BSC0908NSATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta, 30W Tc

漏源极电压Vds 34 V

连续漏极电流Ids 14A

输入电容Ciss 1220pF @15VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSC0908NSATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSC0908NSATMA1 Infineon 英飞凌 TDSON N-CH 34V 14A 搜索库存
替代型号BSC0908NSATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSC0908NSATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: 8-PowerTDFN N-CH 34V 14A

当前型号

TDSON N-CH 34V 14A

当前型号

型号: BSC080N03LSGATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 30V 14A

类似代替

INFINEON  BSC080N03LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V

BSC0908NSATMA1和BSC080N03LSGATMA1的区别

型号: BSC0909NS

品牌: 英飞凌

封装: TDSON-8 N-Channel 34V 12A

类似代替

30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFET

BSC0908NSATMA1和BSC0909NS的区别

型号: BSC0909NSATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 34V 12A

类似代替

晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 34 V, 0.0077 ohm, 10 V, 2 V

BSC0908NSATMA1和BSC0909NSATMA1的区别