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B2013、SD1433、SD1477对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 B2013 SD1433 SD1477

描述 RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN射频与微波晶体管UHF移动应用程序 RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONSRF功率双极晶体管VHF移动应用程序 RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS

数据手册 ---

制造商 Ericsson Microelectronics ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Chassis Surface Mount

封装 - M122 M-111

引脚数 - - 6

额定电压(DC) - 16.0 V 18.0 V

额定电流 - 2.50 A 20.0 A

击穿电压(集电极-发射极) - 16 V 18 V

增益 - 7 dB 6 dB

最小电流放大倍数(hFE) - 10 @1A, 5V 10 @5A, 5V

额定功率(Max) - 58 W 270 W

耗散功率 - - 270 W

最大电流放大倍数(hFE) - - 10 @5A, 5V

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 270000 mW

封装 - M122 M-111

长度 - - 24.89 mm

宽度 - - 21.97 mm

高度 - - 7.11 mm

工作温度 - 200℃ (TJ) 200℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Bulk Tray

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99