B2013、SD1433、SD1477对比区别
描述 RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN射频与微波晶体管UHF移动应用程序 RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONSRF功率双极晶体管VHF移动应用程序 RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS
数据手册 ---
制造商 Ericsson Microelectronics ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Chassis Surface Mount
封装 - M122 M-111
引脚数 - - 6
额定电压(DC) - 16.0 V 18.0 V
额定电流 - 2.50 A 20.0 A
击穿电压(集电极-发射极) - 16 V 18 V
增益 - 7 dB 6 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 10 @1A, 5V 10 @5A, 5V
额定功率(Max) - 58 W 270 W
耗散功率 - - 270 W
最大电流放大倍数(hFE) - - 10 @5A, 5V
工作温度(Max) - - 200 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 270000 mW
封装 - M122 M-111
长度 - - 24.89 mm
宽度 - - 21.97 mm
高度 - - 7.11 mm
工作温度 - 200℃ (TJ) 200℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 - Bulk Tray
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99