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ULN2004AN、ULN2004ANE4、ULN2001A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULN2004AN ULN2004ANE4 ULN2001A

描述 TEXAS INSTRUMENTS  ULN2004AN  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 350 mA, DIP高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYSTMICROELECTRONICS  ULN2001A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 16 16 16

封装 DIP-16 DIP-16 DIP-16

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 500 mA - 500 mA

输出接口数 7 7 -

输出电压 50 V - 50 V

输出电流 0.5 A - 500 mA

通道数 7 - 7

针脚数 16 - 16

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

驱动器/包 7 7 -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

输出电流(Max) 500 mA 500 mA -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -20 ℃ -20 ℃ -40 ℃

输入电压 30 V - 30 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 1000 @350mA, 2V

直流电流增益(hFE) - 1000 1000

长度 19.3 mm - 19.69 mm

宽度 6.35 mm - 7.11 mm

高度 4.57 mm - 4.95 mm

封装 DIP-16 DIP-16 DIP-16

工作温度 -20℃ ~ 70℃ (TA) -20℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99