TLV2322IDR、LMC6462AIM/NOPB、TLV2322ID对比区别

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型号 TLV2322IDR LMC6462AIM/NOPB TLV2322ID

描述 LinCMOSE低电压低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-VOLTAGE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERSCMOS 运算放大器，LMC/LPC 系列### 运算放大器，Texas InstrumentsLinCMOSE低电压低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-VOLTAGE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 20 µA 50 µA 20 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 0.725 W - 725 mW

共模抑制比 65 dB 70 dB 65dB ~ 94dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K 1.50 µV/K 1.10 µV/K

带宽 27.0 kHz 50 kHz 27 kHz

转换速率 30.0 mV/μs 15.0 mV/μs 30.0 mV/μs

增益频宽积 85 kHz 0.05 MHz 0.085 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 250 µV 1.1 mV

输入偏置电流 0.6 pA 0.00000015μA @5V 0.0000006μA @5V

增益带宽 85 kHz 0.05 MHz 85 kHz

耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 70 dB 65 dB

工作电压 - 3V ~ 16V -

输出电流 - ≤30 mA ≤30 mA

针脚数 - 8 -

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 - 3V ~ 15.5V 2V ~ 8V

电源电压(Max) - 15.5 V 8 V

电源电压(Min) - 3 V 2 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.9 mm 3.91 mm

高度 - 1.45 mm 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15