IRF9333PBF、SI9435BDY-T1-E3、SI4953ADY-T1-E3对比区别

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型号 IRF9333PBF SI9435BDY-T1-E3 SI4953ADY-T1-E3

描述 INFINEON  IRF9333PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -9.2 A, -30 V, 15.6 mohm, -10 V, -1.8 VVISHAY  SI9435BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, 8-SOICVISHAY  SI4953ADY-T1-E3  场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO

额定功率 2.5 W - -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.0156 Ω 0.07 Ω 90.0 mΩ

极性 P-CH P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.00 W

阈值电压 1.8 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V -30.0 V -30.0 V

连续漏极电流(Ids) 9.2A -5.70 A 4.90 A, -4.90 A

输入电容(Ciss) 1110pF @25V(Vds) - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - -

上升时间 - 14 ns 10 ns

下降时间 - 30 ns 20 ns

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 4.98 mm 5 mm -

宽度 3.99 mm - -

高度 1.57 mm 1.55 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs - -

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -