IPB072N15N3GATMA1、IPI075N15N3GXKSA1、IPI075N15N3G对比区别
型号 IPB072N15N3GATMA1 IPI075N15N3GXKSA1 IPI075N15N3G
描述 INFINEON IPB072N15N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 5.8 mohm, 10 V, 3 V单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole -
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-262-3
额定功率 300 W 300 W -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.0058 Ω - -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 300 W 300 W 300 W
阈值电压 3 V - -
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V -
连续漏极电流(Ids) 100A 100A -
上升时间 35 ns 35 ns -
输入电容(Ciss) 5470pF @75V(Vds) 5470pF @75V(Vds) -
下降时间 14 ns 14 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 300000 mW 300W (Tc) -
漏源击穿电压 - 150 V -
长度 10.31 mm 10.2 mm -
宽度 9.45 mm 4.5 mm -
高度 4.57 mm 9.45 mm -
封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC