额定功率 300 W
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 5470pF @75VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPI075N15N3GXKSA1 | Infineon 英飞凌 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPI075N15N3GXKSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL N-CH 150V 100A | 当前型号 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 当前型号 |
| 型号： IPI075N15N3GHKSA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-262-3 N-CH 150V 100A | 类似代替 | TO-262 N-CH 150V 100A | IPI075N15N3GXKSA1和IPI075N15N3GHKSA1的区别 |
| 型号： IPI075N15N3G 品牌： 英飞凌 封装： TO262-3 N-Channel | 类似代替 | OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DSon product FOM | IPI075N15N3GXKSA1和IPI075N15N3G的区别 |
| 型号： IPB072N15N3GATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 150V 100A | 功能相似 | INFINEON IPB072N15N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 5.8 mohm, 10 V, 3 V | IPI075N15N3GXKSA1和IPB072N15N3GATMA1的区别 |
