FQPF30N06、STP36NF06FP对比区别
描述 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP36NF06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) 60.0 V -
额定电流 21.0 A -
漏源极电阻 40.0 mΩ 0.04 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 39 W 25 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V -
栅源击穿电压 ±25.0 V -
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 18.0 A
上升时间 85 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 945pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 39 W 25 W
下降时间 40 ns 9 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 39W (Tc) 25000 mW
额定功率 - 25 W
通道数 - 1
针脚数 - 3
阈值电压 - 4 V
长度 10.67 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm
高度 16.3 mm 9.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 -