FQPF30N06
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF30N06中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 21.0 A
漏源极电阻 40.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 39 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 85 ns
输入电容Ciss 945pF @25VVds
额定功率Max 39 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 39W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF30N06引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQPF30N06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF30N06 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 60V 21A 40mohms | 当前型号 | 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP36NF06FP 品牌： 意法半导体 封装： TO-220FP N-Channel 18A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP36NF06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 40 mohm, 10 V, 4 V | FQPF30N06和STP36NF06FP的区别 |