锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

1N5190US、JANTXV1N5190、1N5190S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5190US JANTXV1N5190 1N5190S

描述 无空隙气密式表面安装快恢复整流二极管玻璃 VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERSDiode Gen Purp 600V 3A AxialRectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor

分类 功率二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 E-MELF B -

正向电压 - 1.5V @9A -

反向恢复时间 400 ns 400 ns -

正向电流(Max) 3 A 3 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

封装 E-MELF B -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -