1N5190US
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
1N5190US中文资料参数规格
技术参数
反向恢复时间 400 ns
正向电流Max 3 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 E-MELF
外形尺寸
封装 E-MELF
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
1N5190US引脚图与封装图
暂无图片
在线购买1N5190US
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N5190US | Microsemi 美高森美 | 无空隙气密式表面安装快恢复整流二极管玻璃 VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS | 搜索库存 |
替代型号1N5190US
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N5190US 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | 无空隙气密式表面安装快恢复整流二极管玻璃 VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS | 当前型号 |
| 型号： JANTXV1N5190 品牌： 美高森美 封装： B | 完全替代 | Diode Gen Purp 600V 3A Axial | 1N5190US和JANTXV1N5190的区别 |
| 型号： 1N5190 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | PASSIVATED SILICON RECTIFIER | 1N5190US和1N5190的区别 |