IRFH5215TRPBF、SI7430DP-T1-E3、FDMS2572对比区别

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型号 IRFH5215TRPBF SI7430DP-T1-E3 FDMS2572

描述 INFINEON  IRFH5215TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 5A, 8-PQFNVISHAY  SI7430DP-T1-E3  晶体管, N沟道FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS2572  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 0.036 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VQFN-8 SOIC Power-56-8

额定电压(DC) - - 150 V

额定电流 - - 4.50 A

通道数 1 - 1

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0455 Ω 0.045 Ω 0.036 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.6 W 5.2 W 78 W

阈值电压 5 V 2.5 V 3 V

输入电容 - - 1.96 nF

栅电荷 - - 31.0 nC

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

漏源击穿电压 150 V - 150 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 5A 26.0 A 27.0 A

上升时间 6.3 ns 12 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 1350pF @50V(Vds) 1735pF @50V(Vds) 2610pF @75V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.5 W

下降时间 2.9 ns - 31 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.6W (Ta), 104W (Tc) 5200 mW 78 W

额定功率 3.6 W - -

产品系列 IRFH5215 - -

长度 6 mm - 5 mm

宽度 5 mm - 6 mm

高度 0.83 mm 1.04 mm 0.75 mm

封装 VQFN-8 SOIC Power-56-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99