SI7430DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.045 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5.2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1735pF @50VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7430DP-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI7430DP-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7430DP-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7430DP-T1-E3 晶体管, N沟道 | 搜索库存 |
替代型号SI7430DP-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7430DP-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOIC N-Channel 150V 26A | 当前型号 | VISHAY SI7430DP-T1-E3 晶体管, N沟道 | 当前型号 |
| 型号： IRFH5015TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 150V 10A | 功能相似 | INFINEON IRFH5015TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 150 V, 0.0255 ohm, 10 V, 5 V 新 | SI7430DP-T1-E3和IRFH5015TRPBF的区别 |
| 型号： IRFH5215TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 150V 5A | 功能相似 | INFINEON IRFH5215TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 5A, 8-PQFN | SI7430DP-T1-E3和IRFH5215TRPBF的区别 |
| 型号： SI7846DP-T1-E3 品牌： 威世 封装： SO N-Channel 150V 6.7A 50mohms | 功能相似 | VISHAY SI7846DP-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 0.041Ω, 4A | SI7430DP-T1-E3和SI7846DP-T1-E3的区别 |