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LMC6035IMX、LMC6035IMX/NOPB、LMC6035IMXQ1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMC6035IMX LMC6035IMX/NOPB LMC6035IMXQ1

描述 LMC6035 / LMC6035 -Q1 / LMC6036低功率2.7V单电源CMOS运算 LMC6035/LMC6035-Q1/LMC6036 Low Power 2.7V Single Supply CMOS OperationalLMC6035IMX/NOPB 编带LMC6035 / LMC6035 -Q1 / LMC6036低功率2.7V单电源CMOS运算 LMC6035/LMC6035-Q1/LMC6036 Low Power 2.7V Single Supply CMOS Operational

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 8mA @2.7V 8mA @2.7V -

供电电流 650 µA 650 µA 650 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 -

共模抑制比 - 63dB ~ 96dB -

输入补偿漂移 2.30 µV/K 2.30 µV/K 2.30 µV/K

带宽 - 1.4 MHz -

转换速率 1.50 V/μs 1.50 V/μs 1.50 V/μs

增益频宽积 1.4 MHz 1.4 MHz 1.4 MHz

输入补偿电压 500 µV 500 µV 500 µV

输入偏置电流 0.02 pA 0.02 pA 0.02 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

增益带宽 1.4 MHz 1.4 MHz -

共模抑制比(Min) 63 dB 63 dB 63 dB

电源电压 - 2V ~ 15.5V -

电源电压(Max) - 15.5 V -

电源电压(Min) - 2 V -

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free