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CM50DU-24F、MG50Q2YS40对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CM50DU-24F MG50Q2YS40

描述 POWEREX CM50DU-24F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 50A, 1.2kV, 320W, 1.2kV, ModuleN CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

数据手册 --

制造商 Powerex Toshiba (东芝)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Chassis -

引脚数 7 -

封装 Module -

额定电压(DC) 1.20 kV -

额定电流 50.0 A -

极性 N-Channel -

耗散功率 320 W -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V -

输入电容(Cies) 20nF @10V -

额定功率(Max) 320 W -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

封装 Module -

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -