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KST5087MTF、MMBT5087LT1G、MMBT5087LT3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KST5087MTF MMBT5087LT1G MMBT5087LT3G

描述 Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 3Pin SOT-23 T/RON SEMICONDUCTOR  MMBT5087LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -50 V, 40 MHz, 225 mW, -50 mA, 40 hFE低噪声晶体管 Low Noise Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 40 MHz 40 MHz 40 MHz

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -50.0 mA -50.0 mA -50.0 mA

极性 - PNP PNP

耗散功率 350 mW 225 mW 0.3 W

增益频宽积 40 MHz - 40 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 - 0.05A 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100µA, 5V 250 @100µA, 5V 250 @100µA, 5V

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

额定功率 - 300 mW -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 40 -

最大电流放大倍数(hFE) 800 - -

长度 2.92 mm 3.04 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 1.01 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99