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JANS2N3634、JANTXV2N3634L、JANTXV2N3634对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N3634 JANTXV2N3634L JANTXV2N3634

描述 PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORPNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORPNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-39 TO-5 TO-39

引脚数 3 - -

击穿电压(集电极-发射极) - 140 V 140 V

最小电流放大倍数(hFE) - 50 @50mA, 10V 50 @50mA, 10V

额定功率(Max) - 1 W 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1000 mW - -

封装 TO-39 TO-5 TO-39

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 -