JANTXV2N3634L
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N3634L中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 140 V
最小电流放大倍数hFE 50 @50mA, 10V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-5
外形尺寸
封装 TO-5
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JANTXV2N3634L引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N3634L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N3634L | Microsemi 美高森美 | PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N3634L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N3634L 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-5 | 当前型号 | PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N3634L 品牌： 美高森美 封装： TO-39 PNP | 类似代替 | PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR | JANTXV2N3634L和2N3634L的区别 |
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